| 부품 번호 | TRS12E65C,S1Q |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) | 650V |
| 전류 - 평균 정류 (Io) | 12A (DC) |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.7V @ 12A |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역 회복 시간 (trr) | 0ns |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 90µA @ 170V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 65pF @ 650V, 1MHz |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-2 |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-220-2L |
| 작동 온도 - 정션 | 175°C (Max) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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TRS12E65C,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L | 세부 |
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TRS12N65D,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247 | 세부 |
