TRS12E65C,S1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TRS12E65C,S1Q
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Diodos - Rectificadores - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 182 pcs
Precio de referencia: USD 12.86/pcs
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Número de pieza	TRS12E65C,S1Q
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	650V
Corriente - promedio rectificado (Io)	12A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.7V @ 12A
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	90µA @ 170V
Capacitancia @ Vr, F	65pF @ 650V, 1MHz
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / caja	TO-220-2
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220-2L
Temperatura de funcionamiento - unión	175°C (Max)
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	TRS12E65C,S1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L	Detalles
	TRS12N65D,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247	Detalles