SSM6H19NU,LF

SSM6H19NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
SSM6H19NU,LF
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
233672 pcs
참고 가격
USD 0.1107/pcs
우리의 가격
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SSM6H19NU,LF 상세 설명

부품 번호 SSM6H19NU,LF
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 2.2nC @ 4.2V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 130pF @ 10V
Vgs (최대) ±12V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 1W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 185 mOhm @ 1A, 8V
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 6-UDFN (2x2)
패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad
무게 -
원산지 -

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