| Numéro d'article | SSM6H19NU,LF |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.2V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 1A, 8V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 6-UDFN (2x2) |
| Paquet / cas | 6-UDFN Exposed Pad |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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SSM60T03GH | SSC | N-channel Enhancement-mode Power MOSFET | Détails |
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SSM60T03GJ | SSC | N-channel Enhancement-mode Power MOSFET | Détails |
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SSM60T03GP | SSC | N-channel Enhancement-mode Power MOSFET | Détails |
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SSM630GP | SSC | N-channel Enhancement-mode Power MOSFET | Détails |
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SSM6322ACPZ-R2 | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | Détails |
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SSM6322ACPZ-R7 | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | Détails |
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SSM6322ACPZ-RL | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | Détails |
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SSM6618M | SSC | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET | Détails |
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SSM6679GM | SSC | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | Détails |
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SSM6679M | SSC | P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET | Détails |
