SSM3J331R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호	SSM3J331R,LF
부품 상태	Active
FET 유형	P-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id	1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	10.4nC @ 4.5V
Vgs (최대)	±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	630pF @ 10V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	1W (Ta)
작동 온도	150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	SOT-23F
패키지 / 케이스	SOT-23-3 Flat Leads
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
SSM3055	SECOS	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET	세부
SSM3302ACPZ	Analog Devices Inc.	IC AMP AUDIO 20W STER D 40LFCSP	세부
SSM3302ACPZ-R7	Analog Devices Inc.	IC AUDIO AMP STEREO 40LFCSP	세부
SSM3302ACPZ-RL	Analog Devices Inc.	IC AMP AUDIO 20W STER D 40LFCSP	세부
SSM3310GH	SSC	P-channel Enhancement-mode Power MOSFET	세부
SSM3310GJ	SSC	P-channel Enhancement-mode Power MOSFET	세부
SSM34	TC	SSM34 TC SMA New Original Stocks	세부
SSM34PT	CHENMKO	SSM34PT CHENMKO SMA New Original Stocks	세부
SSM3515CCBZ-R7	Analog Devices Inc.	IC AMP CLASS D AUDIO 20WLSCP	세부
SSM3515CCBZ-RL	Analog Devices Inc.	IC AMP CLASS D AUDIO 20WLSCP	세부