SSM3J331R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	SSM3J331R,LF
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	55 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	10.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）	±8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	630pF @ 10V
FET機能	-
消費電力（最大）	1W (Ta)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-23F
パッケージ/ケース	SOT-23-3 Flat Leads
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
SSM3055	SECOS	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET	詳細
SSM3302ACPZ	Analog Devices Inc.	IC AMP AUDIO 20W STER D 40LFCSP	詳細
SSM3302ACPZ-R7	Analog Devices Inc.	IC AUDIO AMP STEREO 40LFCSP	詳細
SSM3302ACPZ-RL	Analog Devices Inc.	IC AMP AUDIO 20W STER D 40LFCSP	詳細
SSM3310GH	SSC	P-channel Enhancement-mode Power MOSFET	詳細
SSM3310GJ	SSC	P-channel Enhancement-mode Power MOSFET	詳細
SSM34	TC	SSM34 TC SMA New Original Stocks	詳細
SSM34PT	CHENMKO	SSM34PT CHENMKO SMA New Original Stocks	詳細
SSM3515CCBZ-R7	Analog Devices Inc.	IC AMP CLASS D AUDIO 20WLSCP	詳細
SSM3515CCBZ-RL	Analog Devices Inc.	IC AMP CLASS D AUDIO 20WLSCP	詳細