• 대한민국
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드 › RN1111ACT(TPL3)
RN1111ACT(TPL3)

RN1111ACT(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
RN1111ACT(TPL3)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
RN1111ACT(TPL3) PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
3877 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 RN1111ACT(TPL3)

RN1111ACT(TPL3) 상세 설명

부품 번호 RN1111ACT(TPL3)
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 80mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
저항기 -베이스 (R1) (옴) 10k
저항기 - 이미 터베이스 (R2) (옴) -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA (ICBO)
빈도 - 전환 -
전력 - 최대 100mW
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-101, SOT-883
공급 업체 장치 패키지 CST3
무게 -
원산지 -

관련 제품 RN1111ACT(TPL3)

영상 부품 번호 제조사 기술 전망
RN1110(T5L,F,T) RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 세부
RN1110,LF(CT RN1110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 세부
RN1110ACT(TPL3) RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 세부
RN1110CT(TPL3) RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 세부
RN1110MFV RN1110MFV ORIGINAL RN1110MFV ORIGINAL NEW New Original Stocks 세부
RN1110MFV,L3F RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM 세부
RN1111 RN1111 TOSHIBA RN1111 TOSHIBA SOT323 New Original Stocks 세부
RN1111,LF(CT RN1111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 세부
RN1111ACT(TPL3) RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 세부
RN1111CT(TPL3) RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 세부