TH58NYG3S0HBAI4

TH58NYG3S0HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

부품 번호
TH58NYG3S0HBAI4
제조사
Toshiba Memory America, Inc.
간단한 설명
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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-
범주
메모리
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
19087 pcs
참고 가격
USD 9.59/pcs
우리의 가격
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TH58NYG3S0HBAI4 상세 설명

부품 번호 TH58NYG3S0HBAI4
부품 상태 Active
메모리 유형 Non-Volatile
메모리 형식 FLASH
과학 기술 FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기 8Gb (1G x 8)
클럭 주파수 -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 25ns
액세스 시간 25ns
메모리 인터페이스 Parallel
전압 - 공급 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 63-VFBGA
공급 업체 장치 패키지 63-TFBGA (9x11)
무게 -
원산지 -

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