| Artikelnummer | TH58NYG3S0HBAI4 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 8Gb (1G x 8) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | 25ns |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-TFBGA (9x11) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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TH58NVG2S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | Einzelheiten |
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TH58NVG3S0HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 3.3V | Einzelheiten |
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TH58NVG3S0HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP | Einzelheiten |
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TH58NVG3S0HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP | Einzelheiten |
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