| 부품 번호 | N06DB1R0M |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| 유형 | Wirewound |
| 재료 - 핵심 | Ferrite |
| 인덕턴스 | 1µH |
| 공차 | ±20% |
| 전류 정격 | 3.9A |
| 현재 - 채도 | - |
| 차폐물 | Unshielded |
| DC 저항 (DCR) | 21 mOhm Max |
| Q @ Freq | - |
| 주파수 - 자기 공명 | 87MHz |
| 평점 | - |
| 작동 온도 | -25°C ~ 105°C |
| 빈도 - 테스트 | 1kHz |
| 풍모 | - |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | Nonstandard |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 크기 / 치수 | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
| 높이 장착 - 최대 (최대) | 0.126" (3.20mm) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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N06 080 0003 1 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | 세부 |
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N06 080 0003 2 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | 세부 |
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N06 080 0003 3 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | 세부 |
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N06 080 0003 4 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | 세부 |
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N0601N-ZK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | 세부 |
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N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | 세부 |
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N0603N-S23-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-262 | 세부 |
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N0604N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 82A TO-220 | 세부 |
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N06A | NATIONAL | N06A NATIONAL SOT-22.. New Original Stocks | 세부 |
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N06DB100K | Taiyo Yuden | FIXED IND 10UH 1.7A 79 MOHM SMD | 세부 |
