| Artikelnummer | N06DB1R0M |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Art | Wirewound |
| Material - Kern | Ferrite |
| Induktivität | 1µH |
| Toleranz | ±20% |
| Aktuelle Bewertung | 3.9A |
| Aktuell - Sättigung | - |
| Abschirmung | Unshielded |
| Gleichstromwiderstand (DCR) | 21 mOhm Max |
| Q @ Freq | - |
| Frequenz - Eigenresonant | 87MHz |
| Bewertungen | - |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
| Häufigkeit - Test | 1kHz |
| Eigenschaften | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | Nonstandard |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Größe / Dimension | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
| Höhe - Sitzend (Max) | 0.126" (3.20mm) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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N06 080 0003 1 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Einzelheiten |
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N06 080 0003 2 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Einzelheiten |
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N06 080 0003 3 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Einzelheiten |
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N06 080 0003 4 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Einzelheiten |
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N0601N-ZK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | Einzelheiten |
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N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | Einzelheiten |
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N0603N-S23-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-262 | Einzelheiten |
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N0604N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 82A TO-220 | Einzelheiten |
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N06A | NATIONAL | N06A NATIONAL SOT-22.. New Original Stocks | Einzelheiten |
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N06DB100K | Taiyo Yuden | FIXED IND 10UH 1.7A 79 MOHM SMD | Einzelheiten |
