부품 번호 | TSM650P02CX RFG |
---|---|
부품 상태 | Active |
FET 유형 | P-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.1A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 800mV @ 250µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
Vgs (최대) | ±10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 515pF @ 10V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 1.56W (Tc) |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | SOT-23 |
패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
무게 | - |
원산지 | - |