TSM650P02CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	TSM650P02CX RFG
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	5.1nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	515pF @ 10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.56W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TSM6502CR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN	Einzelheiten
TSM650N15CR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN	Einzelheiten
TSM650N15CS RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP	Einzelheiten
TSM650P02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23	Einzelheiten
TSM650P03CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23	Einzelheiten