STO33N60M6 - STMicroelectronics

부품 번호	STO33N60M6
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4.75V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	33.4nC @ 10V
Vgs (최대)	±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1515pF @ 100V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	230W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	TOLL (HV)
패키지 / 케이스	8-PowerSFN
무게	-
원산지	-

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	STO33N60M6	STMicroelectronics	N-CHANNEL 600 V 105 MOHM TYP.	세부
	STO36N60M6	STMicroelectronics	N-CHANNEL 600 V 0.85 OHM TYP.	세부