STO33N60M6 - STMicroelectronics

Numéro d'article	STO33N60M6
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	33.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1515pF @ 100V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	230W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TOLL (HV)
Paquet / cas	8-PowerSFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	STO33N60M6	STMicroelectronics	N-CHANNEL 600 V 105 MOHM TYP.	Détails
	STO36N60M6	STMicroelectronics	N-CHANNEL 600 V 0.85 OHM TYP.	Détails