2SK2887TL

2SK2887TL - Rohm Semiconductor

부품 번호
2SK2887TL
제조사
Rohm Semiconductor
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
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3503 pcs
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2SK2887TL 상세 설명

부품 번호 2SK2887TL
부품 상태 Discontinued at Digi-Key
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 8.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 230pF @ 10V
Vgs (최대) ±30V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 20W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 1.5A, 10V
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 CPT3
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
무게 -
원산지 -

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