2SK2887TL

2SK2887TL - Rohm Semiconductor

Número de pieza
2SK2887TL
Fabricante
Rohm Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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1 Day
Código de fecha
New
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4476 pcs
Precio de referencia
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2SK2887TL Descripción detallada

Número de pieza 2SK2887TL
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 1.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor CPT3
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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