| 부품 번호 | RJM0603JSC-00#12 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 54W |
| 작동 온도 | 175°C |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| 공급 업체 장치 패키지 | 20-HSOP |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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RJM0603JSC-00#12 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | 세부 |
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RJM0603JSC-00#13 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | 세부 |
