RJM0603JSC-00#12 - Renesas Electronics America

Número de pieza: RJM0603JSC-00#12
Fabricante: Renesas Electronics America
Breve descripción: MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	RJM0603JSC-00#12
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Característica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 10V
Potencia - Max	54W
Temperatura de funcionamiento	175°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	20-HSOP
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	RJM0603JSC-00#12	Renesas Electronics America	MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP	Detalles
	RJM0603JSC-00#13	Renesas Electronics America	MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP	Detalles