FDN5632N-F085 - ON Semiconductor

부품 번호	FDN5632N-F085
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	1.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	475pF @ 15V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	1.1W (Ta)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	SuperSOT-3
패키지 / 케이스	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
FDN561	FAI	FDN561 FAI SOT23 New Original Stocks	세부
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FDN5618P_G	ON Semiconductor	INTEGRATED CIRCUIT	세부
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FDN5630-NL	FAI	FDN5630-NL FAI SOT23-.. New Original Stocks	세부
FDN5630DS	FSC	FDN5630DS FSC SOT23 New Original Stocks	세부
FDN5632N-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3	세부
FDN5632N_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3	세부