| Número de pieza | FDN5632N-F085 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.7A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 1.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.1W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SuperSOT-3 |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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