FCP190N65S3R0 - ON Semiconductor

부품 번호	FCP190N65S3R0
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4.5V @ 1.7mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (최대)	±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1350pF @ 400V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	144W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-220-3
패키지 / 케이스	TO-220-3
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
FCP190N60	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO220-3	세부
FCP190N60-GF102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO-220-3	세부
FCP190N60E	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO220-3	세부
FCP190N60_GF102	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO-220-3	세부
FCP190N65F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3	세부
FCP190N65S3	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3	세부
FCP190N65S3R0	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I	세부
FCP1913H104G	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913	세부
FCP1913H104G-E2	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913	세부
FCP1913H104G-E3	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.1UF 2 50VDC 1913	세부