| 부품 번호 | PMDT290UCE,115 |
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| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 800mA, 550mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 950mV @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 83pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 500mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급 업체 장치 패키지 | SOT-666 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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PMDT290UCE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V SOT666 | 세부 |
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PMDT290UNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 | 세부 |
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PMDT290UNEYL | Nexperia USA Inc. | PMDT290UNE/SOT666/SOT6 | 세부 |
