PMDT290UCE,115

PMDT290UCE,115 - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer
PMDT290UCE,115
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V SOT666
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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PMDT290UCE,115.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
216545 pcs
Referenzpreis
USD 0.1242/pcs
Unser Preis
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PMDT290UCE,115 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer PMDT290UCE,115
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 800mA, 550mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.68nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 83pF @ 10V
Leistung max 500mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket SOT-666
Gewicht -
Ursprungsland -

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