| 부품 번호 | APTC90H12SCTG |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Super Junction |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 900V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6800pF @ 100V |
| 전력 - 최대 | 250W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP4 |
| 공급 업체 장치 패키지 | SP4 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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APTC90AM602G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | 세부 |
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APTC90AM60SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | 세부 |
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APTC90AM60T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | 세부 |
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APTC90DAM60CT1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | 세부 |
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APTC90DAM60T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | 세부 |
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APTC90DDA12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | 세부 |
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APTC90DSK12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | 세부 |
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APTC90H12SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 | 세부 |
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APTC90H12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | 세부 |
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APTC90H12T2G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | 세부 |
