| Artikelnummer | APTC90H12SCTG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Super Junction |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 900V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
| Leistung max | 250W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP4 |
| Lieferantengerätepaket | SP4 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APTC90AM602G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | Einzelheiten |
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APTC90AM60SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | Einzelheiten |
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APTC90AM60T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | Einzelheiten |
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APTC90DAM60CT1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Einzelheiten |
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APTC90DAM60T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Einzelheiten |
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APTC90DDA12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Einzelheiten |
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APTC90DSK12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Einzelheiten |
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APTC90H12SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 | Einzelheiten |
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APTC90H12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | Einzelheiten |
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APTC90H12T2G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | Einzelheiten |
