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MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C

MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C - Micron Technology Inc.

부품 번호: MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C
제조사: Micron Technology Inc.
간단한 설명: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 메모리
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 15767 pcs
참고 가격: USD 11.6099/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C 상세 설명

부품 번호	MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C
부품 상태	Active
메모리 유형	Non-Volatile
메모리 형식	FLASH, RAM
과학 기술	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기	4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
클럭 주파수	533MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지	-
액세스 시간	-
메모리 인터페이스	Parallel
전압 - 공급	1.8V
작동 온도	-40°C ~ 85°C (TA)
실장 형	Surface Mount
패키지 / 케이스	162-VFBGA
공급 업체 장치 패키지	162-VFBGA (10.5x8)
무게	-
원산지	-

관련 제품 MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G DDR2	세부
	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G DDR2	세부
	MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR	Micron Technology Inc.	MASSFLASH/LPDDR2 6G	세부
	MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	세부
	MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	세부
	MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F	Micron Technology Inc.	IC FLASH	세부
	MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH	세부
	MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F	Micron Technology Inc.	IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA	세부
	MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR	Micron Technology Inc.	MASSFLASH/LPDDR2 6G	세부
	MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U	Micron Technology Inc.	IC FLASH 8G DDR	세부