| 부품 번호 | JANTXV1N6337US |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 전압 - 제너 (Nom) (Vz) | 36V |
| 공차 | ±5% |
| 전력 - 최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 50 Ohm |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 50nA @ 36V |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.4V @ 1A |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SQ-MELF, B |
| 공급 업체 장치 패키지 | B, SQ-MELF |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | 세부 |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | 세부 |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | 세부 |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | 세부 |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | 세부 |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 세부 |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 세부 |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 세부 |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 세부 |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | 세부 |
