| 品番 | JANTXV1N6337US |
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| 部品ステータス | Active |
| 電圧 - ツェナー（Nom）（Vz） | 36V |
| 公差 | ±5% |
| 電力 - 最大 | 500mW |
| インピーダンス（最大）（Zzt） | 50 Ohm |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 50nA @ 36V |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.4V @ 1A |
| 動作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SQ-MELF, B |
| サプライヤデバイスパッケージ | B, SQ-MELF |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | 詳細 |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | 詳細 |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | 詳細 |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 詳細 |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 詳細 |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | 詳細 |
