IXFK150N30X3 - IXYS

부품 번호	IXFK150N30X3
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	300V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	8.3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4.5V @ 4mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	254nC @ 10V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	13.1nF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	890W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-264
패키지 / 케이스	TO-264-3, TO-264AA
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
IXFK100N10	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA	세부
IXFK100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA	세부
IXFK100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 100A TO-264	세부
IXFK102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 102A TO-264	세부
IXFK110N07	IXYS	MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA	세부
IXFK120N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA	세부
IXFK120N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-264	세부
IXFK120N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	세부
IXFK120N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	세부
IXFK120N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 120A TO-264	세부