IXFK150N30X3 - IXYS

Número de pieza	IXFK150N30X3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	300V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	254nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13.1nF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-264
Paquete / caja	TO-264-3, TO-264AA
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXFK100N10	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA	Detalles
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IXFK120N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 120A TO-264	Detalles