| 부품 번호 | SPI08N80C3 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 800V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 470µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1100pF @ 100V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 104W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.1A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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SPI0625-100M | ORIGINAL | SPI0625-100M ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks | 세부 |
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SPI0625-220M | ORIGINAL | SPI0625-220M ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks | 세부 |
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SPI07N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262 | 세부 |
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SPI07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262 | 세부 |
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SPI07N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262 | 세부 |
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SPI07N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262 | 세부 |
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SPI08N50C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 7.6A TO-262 | 세부 |
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SPI08N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262 | 세부 |
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SPI08N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A TO-262 | 세부 |
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SPI08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A TO-262 | 세부 |
