| Numero di parte | SPI08N80C3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 470µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SPI0625-100M | ORIGINAL | SPI0625-100M ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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SPI0625-220M | ORIGINAL | SPI0625-220M ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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SPI07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262 | Dettagli |
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SPI07N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262 | Dettagli |
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SPI07N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262 | Dettagli |
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SPI08N50C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 7.6A TO-262 | Dettagli |
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SPI08N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262 | Dettagli |
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SPI08N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A TO-262 | Dettagli |
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SPI08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A TO-262 | Dettagli |
