IRL100HS121 - Infineon Technologies

부품 번호	IRL100HS121
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	2.3V @ 10µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	5.6nC @ 4.5V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	440pF @ 50V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	11.5W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	6-PQFN (2x2)
패키지 / 케이스	6-VDFN Exposed Pad
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
IRL10	EVERLIGHT	5mm Infrared LED , T-1 3/4	세부
IRL1004	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB	세부
IRL1004L	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 130A TO-262	세부
IRL1004LPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 130A TO-262	세부
IRL1004PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB	세부
IRL1004S	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK	세부
IRL1004SPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK	세부
IRL1004STRL	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK	세부
IRL1004STRLPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK	세부
IRL1004STRR	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK	세부