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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IRL100HS121
IRL100HS121

IRL100HS121 - Infineon Technologies

品番
IRL100HS121
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 6PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IRL100HS121 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
354727 pcs
参考価格
USD 0.46416/pcs
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IRL100HS121 詳細な説明

品番 IRL100HS121
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 42 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.3V @ 10µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 5.6nC @ 4.5V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 440pF @ 50V
FET機能 -
消費電力（最大） 11.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 6-PQFN (2x2)
パッケージ/ケース 6-VDFN Exposed Pad
重量 -
原産国 -

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