| 부품 번호 | IPW90R1K2C3 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 900V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.1A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 310µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 710pF @ 100V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 83W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TO247-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
|
IPW90R120C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 | 세부 |
|
IPW90R120C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 | 세부 |
|
IPW90R1K0C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247 | 세부 |
|
IPW90R1K2C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247 | 세부 |
|
IPW90R1K2C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247 | 세부 |
|
IPW90R340C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 | 세부 |
|
IPW90R340C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 | 세부 |
|
IPW90R500C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 | 세부 |
|
IPW90R500C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 | 세부 |
|
IPW90R800C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247 | 세부 |
