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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › IPW90R1K2C3
IPW90R1K2C3

IPW90R1K2C3 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPW90R1K2C3
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IPW90R1K2C3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1442 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.23/pcs
Notre prix
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IPW90R1K2C3 Description détaillée

Numéro d'article IPW90R1K2C3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.1A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 310µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO247-3
Paquet / cas TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

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