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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › IPA60R099C6XKSA1
IPA60R099C6XKSA1

IPA60R099C6XKSA1 - Infineon Technologies

부품 번호
IPA60R099C6XKSA1
제조사
Infineon Technologies
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
22740 pcs
참고 가격
USD 7.24/pcs
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IPA60R099C6XKSA1 상세 설명

부품 번호 IPA60R099C6XKSA1
부품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 37.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 1.21mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 119nC @ 10V
Vgs (최대) ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2660pF @ 100V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 35W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 PG-TO220-FP
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
무게 -
원산지 -

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