IPA60R099C6XKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	IPA60R099C6XKSA1
État de la pièce	Not For New Designs
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	37.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.21mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	119nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2660pF @ 100V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO220-FP
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IPA60R060C7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP	Détails
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