| 부품 번호 | BSZ215CHXTMA1 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N and P-Channel Complementary |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.1A, 3.2A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.4V @ 110µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 419pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 2.5W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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BSZ215CHXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON | 세부 |
