BSZ215CHXTMA1

BSZ215CHXTMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
BSZ215CHXTMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.5121/pcs
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BSZ215CHXTMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte BSZ215CHXTMA1
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 419pF @ 10V
Potenza - Max 2.5W
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL
Peso -
Paese d'origine -

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