| 부품 번호 | GB2X100MPS12-227 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 다이오드 구성 | 2 Independent |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) | 1200V |
| 전류 - 평균 정류 된 (Io) (다이오드 당) | 185A (DC) |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.8V @ 100A |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역 회복 시간 (trr) | 0ns |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 80µA @ 1200V |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 175°C |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 공급 업체 장치 패키지 | SOT-227 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1200V 200A SOT-227 | 세부 |
