| 品番 | GB2X100MPS12-227 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオード構成 | 2 Independent |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 1200V |
| 電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり） | 185A (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.8V @ 100A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 0ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 80µA @ 1200V |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1200V 200A SOT-227 | 詳細 |
