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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - IGBT - 단일 › HGTG30N60B3
HGTG30N60B3

HGTG30N60B3 - Fairchild/ON Semiconductor

부품 번호
HGTG30N60B3
제조사
Fairchild/ON Semiconductor
간단한 설명
IGBT 600V 60A 208W TO247
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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-
범주
트랜지스터 - IGBT - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
25 pcs
참고 가격
USD 5.04/pcs
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HGTG30N60B3 상세 설명

부품 번호 HGTG30N60B3
부품 상태 Active
IGBT 형 -
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 60A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) 220A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
전력 - 최대 208W
스위칭 에너지 500µJ (on), 680µJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 차지 170nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 36ns/137ns
시험 조건 480V, 30A, 3 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) -
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 TO-247
무게 -
원산지 -

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