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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - IGBT - 단일 › HGTG10N120BND
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND - Fairchild/ON Semiconductor

부품 번호
HGTG10N120BND
제조사
Fairchild/ON Semiconductor
간단한 설명
IGBT 1200V 35A 298W TO247
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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-
범주
트랜지스터 - IGBT - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
857 pcs
참고 가격
USD 3.7/pcs
우리의 가격
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HGTG10N120BND 상세 설명

부품 번호 HGTG10N120BND
부품 상태 Not For New Designs
IGBT 형 NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 35A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) 80A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
전력 - 최대 298W
스위칭 에너지 850µJ (on), 800µJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 차지 100nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 23ns/165ns
시험 조건 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) 70ns
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 TO-247
무게 -
원산지 -

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