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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › HGTG10N120BND
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
HGTG10N120BND
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
IGBT 1200V 35A 298W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
HGTG10N120BND Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
857 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.7/pcs
Notre prix
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HGTG10N120BND Description détaillée

Numéro d'article HGTG10N120BND
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 35A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Puissance - Max 298W
Échange d'énergie 850µJ (on), 800µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 100nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/165ns
Condition de test 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 70ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids -
Pays d'origine -

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