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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - IGBT - 단일 › FGB30N6S2DT
FGB30N6S2DT

FGB30N6S2DT - Fairchild/ON Semiconductor

부품 번호
FGB30N6S2DT
제조사
Fairchild/ON Semiconductor
간단한 설명
IGBT 600V 45A 167W TO263AB
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
FGB30N6S2DT.pdf
범주
트랜지스터 - IGBT - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
3842 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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FGB30N6S2DT 상세 설명

부품 번호 FGB30N6S2DT
부품 상태 Obsolete
IGBT 형 -
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 45A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) 108A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A
전력 - 최대 167W
스위칭 에너지 55µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 차지 23nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 6ns/40ns
시험 조건 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) 46ns
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지 TO-263AB
무게 -
원산지 -

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