FGB30N6S2DT

FGB30N6S2DT - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FGB30N6S2DT
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 45A 167W TO263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FGB30N6S2DT PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
FGB30N6S2DT.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3691 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern FGB30N6S2DT

FGB30N6S2DT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FGB30N6S2DT
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 45A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 108A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A
Leistung max 167W
Energie wechseln 55µJ (on), 100µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 23nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 6ns/40ns
Testbedingung 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 46ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR FGB30N6S2DT