부품 번호 | EPC2212 |
---|---|
부품 상태 | Active |
FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 100V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 18A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 11A, 5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 3mA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4nC @ 5V |
Vgs (최대) | +6V, -4V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 407pF @ 50V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | - |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | Die |
패키지 / 케이스 | Die |
무게 | - |
원산지 | - |