EPC2212 - EPC

品番	EPC2212
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	18A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	13.5 mOhm @ 11A, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 3mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	4nC @ 5V
Vgs（最大）	+6V, -4V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	407pF @ 50V
FET機能	-
消費電力（最大）	-
動作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	Die
パッケージ/ケース	Die
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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